Samsung annonce la première DRAM LPDDR5 8Gb
Samsung sont les premiers à annoncer qu’ils ont développé avec succès une classe de 10 nanomètres (nœud de processus entre 10 et 20 nanomètres). Cette annonce n’est pas seulement en avance sur les concurrents de Samsung, mais aussi en avance sur la finalisation des spécifications pour DDR5 & LPDDR5. JEDEC, le groupe de normalisation pour l’industrie de la microélectronique, prévoit toujours la publication des normes DDR5 complètes pour la fin de l’année. Samsung a également fait leur annonce pour leurs puces LPDDR4 en avance sur les normes associées en 2014. Depuis lors, ils nous disent, ils ont préparé le terrain pour la transition à la norme LPDDR5 pour une utilisation dans la prochaine mobile 5G et Intelligence artificielle (AI) applications.
Le LPDDR5 8Gb récemment développé est le dernier-né de la gamme DRAM premium de Samsung, qui comprend une DRAM GDDR6 16Gb 16Gb (en volume depuis décembre 2017) et une DRAM DDR5 16Gb (développée en février). Le LPDDR5 8Gb offre un débit allant jusqu’à 6 400 mégabits par seconde (Mb / s), soit 1,5 fois plus vite que les puces DRAM mobiles utilisées dans les appareils mobiles phares actuels (LPDDR4X, 4266Mb / s). Avec le taux de transfert accru, le nouveau LPDDR5 peut envoyer 51,2 gigaoctets (Go) de données, soit environ 14 fichiers vidéo Full HD (3,7 Go chacun), en une seconde (en supposant un bus mémoire 64 bits comme c’est souvent le cas dans plates-formes mobiles finales).
Samsung prévoit d’offrir ses nouvelles puces LPDDR5 dans deux bandes passantes, 6 400 Mo / s à une tension de fonctionnement de 1,1 (V) et 5 500 Mo / s à 1,05 V. La LPDDR4x de génération précédente utilisait une tension de fonctionnement similaire de 1,1 V, mais fournissait seulement une bande passante de 4,260 Mb / s. Ainsi, les nouvelles puces fourniront plus de performance sans utiliser plus de puissance, et dans le cas de la version basse performance en fait légèrement moins de puissance. Samsung affirme que cette amélioration des performances a été rendue possible grâce à plusieurs améliorations architecturales. En doublant le nombre de «banques» de mémoire – subdivisions au sein d’une cellule DRAM – de huit à 16, la nouvelle mémoire peut atteindre une vitesse beaucoup plus élevée sans augmentation de la consommation d’énergie.
Parallèlement aux améliorations architecturales visant à limiter la consommation d’énergie de pointe, Samsung a également mis au point plusieurs innovations pour réduire la consommation d’énergie moyenne. Le LPDDR5 10nm a été conçu pour abaisser sa tension en fonction de la vitesse de fonctionnement du processeur d’application correspondant, en mode actif. De plus, la puce a été configurée pour éviter d’écraser des cellules avec des valeurs ‘0’, évitant ainsi de gaspiller de l’électricité en réitérant une valeur existante. Le plus impressionnant, la nouvelle puce LPDDR5 offrira un «mode veille profonde», qui réduit la consommation d’énergie à environ la moitié du «mode inactif» de la DRAM LPDDR4X actuelle. Grâce à ces fonctionnalités de faible consommation, Samsung prévoit des réductions de consommation allant jusqu’à 30%, optimisant les performances des appareils mobiles et prolongeant la durée de vie de la batterie des smartphones.
Samsung n’a pas encore commencé la production de masse. Il est possible qu’ils attendent que la spécification soit finalisée. Ils ont déjà choisi leur usine à Pyeongtaek en Corée comme site de production une fois qu’ils sont en production de masse. Compte tenu de l’accent mis par Samsung sur les applications mobiles dans son communiqué de presse, il semble probable que la production initiale sera orientée vers les smartphones et autres appareils mobiles.
